秦国刚

　　秦国刚,半导体材料物理专家。祖籍昆山，1934年3月19日生于南京。1956年毕业于北京大学物理系。1961年北京大学物理系研究生毕业。北京大学物理学院教授。长期从事半导体材料物理和半导体物理研究。他和他带领的研究组在半导体中杂质、缺陷和深能级、金属与半导体接触、硅基发光和纳米半导体材料等领域做出了系统和创造性的研究成果。在国际上最早测定硅中存在结构中含氢的深中心；发现硅中退火消失温度原本有很大差异的各主要辐照缺陷在含氢硅中的退火消失温度趋于基本一致；最早测定硅中硼-氢对的红外吸收谱，证实氢对浅受主的钝化作用是氢与浅受主形成复合物而不是补偿浅受主的结果；最早揭示氢能显著影响金属与半导体接触的肖特基势垒高度。

　　1990年世界范围内掀起了硅基发光研究热潮。国际上对多孔硅发光机制争论很激烈，先后提出过几十种不同物理模型。秦国刚和其博士后贾勇强最早指出实际研究的发光多孔硅多是氧化多孔硅，它与另一类发光材料-纳米硅镶嵌氧化硅具有相同的发光机制，提出量子限制-发光中心模型：光激发发生在纳米硅中，而光发射发生在氧化硅中接近纳米硅的发光中心（杂质或缺陷）上。该模型在国际上获得广泛引用和肯定。他和他带领的研究组还发现带自然氧化硅的P型硅片在淀积半透明金属电极后有电致发光现象；在此基础上，设计并研制出一系列硅基纳米硅（锗）/氧化硅电致发光新结构；对硅基纳米硅（锗）/氧化硅电致发光机制提出的物理模型，被国际上广泛引用。

　　曾获国家教委（教育部）科技进步一等奖和二等奖各一次，中科院自然科学奖二等奖一次，物理学会2000—2001年度叶企孙奖等奖励。在国内外期刊上发表论文240余篇，其中SCI论文160余篇。

　　2001年当选为中国科学院院士。