施敏

　　微电子科学技术与半导体器件专家。美国国籍。原籍吴江，1936年3月21日出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。台湾交通大学电子工程学系联华电子讲座教授兼奈米元件实验室主任。苏州大学名誉教授。美国国家工程院院士。

　　施敏是非挥发记忆晶体管（Nonvolatile Semiconductor memory device）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，21世纪初其相关电子产品产值已达5000亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如20世纪80年代初首先以电子束制造出线宽为100纳米左右的MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系等等。

　　施敏在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的6本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

　　1998年当选为中国工程院外籍院士。